来源：@21世纪商业评论微博
来源：视觉中国撰文丨何己派 编辑丨谭璐
又一国产存储芯片巨头，冲击上市。
8月21日，长江存储科创板IPO申请获受理，离上市再进一步。若顺利，它将与国产存储“双子星”之一的长鑫科技，会师A股。
65岁的掌门人陈南翔，终于等来这个历史性时刻。
从武汉走出的长江存储，是国内唯一一家3D NAND原厂，在国际巨头长期把持的江湖中，闯出一条路。
根据TrendForce数据，2026年1-3月，其在全球NAND Flash厂商中，按销售金额和出货量排名，均位列全球第三、中国第一。
同期，长江存储净赚334亿元，平均到每个工作日，净利超5亿元。
陈南翔带领的队伍，不满足于财务数字，他们在新战线HBF（高带宽闪存）正酝酿更猛的牌，有机会撼动全球的产业格局。
光速推进
长江存储的IPO，卡着点推进。
算算时间，5月启动IPO辅导备案，8月完成验收，刚好3个月，满足监管要求的最短时限。
本次IPO拟募资330亿元，其中208亿元投向量产线技术升级，122亿元投向研发。
长江存储的IPO，筹备了7年，早在2019年首轮融资后，就开始铺路。漫漫上市征途，背后的核心推手之一，是陈南翔。
2021年紫光集团破产重整，长江存储进行股权剥离。在紫光集团担任联席总裁的陈南翔，临危受命，出任长江存储董事长、总裁。
他还有两重身份：中国半导体行业协会理事长、半导体投资联盟理事长，手握行业话语权。
陈南翔
长江存储主攻3D NAND闪存，一种非易失性存储器，断电仍能保留数据。手机、电脑、服务器等，会大量用到它，相当于“数据仓库”。
存储行业有很强的周期性，这几年，陈南翔团队打了场艰难的翻身仗。
2023年，全球存储行业处于下行周期，公司净亏损192亿元，NAND闪存的毛利率大跌，只有1%。
直到2025年四季度，AI引爆存储需求，拉动主流的3D NAND供需紧张、价格上行。
赶上好势头，长江存储在今年1-3月开始爆发，NAND闪存收入同比大增约4倍，毛利率迅速升到79%。
截至3月底，其累计亏损大幅收窄，只有34亿元。
“杀疯了”的长江存储，能否复刻长鑫的上市暴涨神话？
在胡润2025全球独角兽榜上，长江存储以1600亿元估值，位列中国十大独角兽第9、全球第21。
市场对它的期待，不会低。
一张底牌
5月底，陈南翔现身一场论坛，高度评价华为“韬定律”，强调中国半导体人要扛起大旗。
他提到，2030年的全球集成电路产业规模，会超过1.5万亿美元。
“届时，中国集成电路产业能做到多大规模？在全球市场中占据怎样的比重？”陈南翔呼吁，中国半导体人要对集成电路设计建立新认知。
全球NAND闪存市场，海外大厂提早出发几十年，用专利、资金和工艺代差，筑起技术、市场的双重铜墙铁壁。
要打破这道壁垒，长江存储依仗的是一张王牌——晶栈Xtacking架构。
这个架构推出前，市面上的3D NAND主要是两种方案：传统并列式架构和CuA（CMOS under Array）架构。
长江存储团队另辟蹊径，将晶圆键合这一技术用在3D NAND上。
这相当于，在指甲盖大小的面积上，实现数十亿根金属通道的连接，两片晶圆各自完工后，用键合这一个步骤，合二为一。
按传统的做法，一张晶圆设计完毕，切割、封装之后就完事了。
“键合则需要将两片完整的晶圆合在一起，最大的问题是，晶圆是分开制造的，需要高精度对准、完全一致，稍有差池，键合整个废掉。”一位研究晶圆键合技术的芯片公司创始人向《21CBR》记者解释。
工艺要求高，好处很明显。
传统3D NAND架构中，外围电路约占芯片面积20%-30%，晶栈架构具备更高存储密度，芯片面积减少约25%；且设计制造是并行的、模块化的，产品开发周期可缩短3个月，生产周期缩短20%。
目前，陈南翔和同事，已将晶栈架构迭代到4.0，构建了技术壁垒，甚至全球存储老大三星，也得主动掏钱购买其专利。
来源：新华社2025年，三星签下一份专利许可协议，付费使用长江存储的混合键合技术，消息震动业界。原因很简单，三星发现，NAND闪存往420层以上走，绕不开长江存储。
这等场面，陈南翔或许早已预见。
两年前他就判断，“先进封装的重要性可能要超过晶圆制造”。
新的跑道
在NAND闪存的江湖，陈南翔和长江存储，已坐上全球第三把交椅。
它的前面，是三星、SK海力士，后方有铠侠、美光在紧追，市场竞争残酷。
Counterpoint分析称，长江存储的产品组合，仍集中于消费级应用，高单价数据中心企业级SSD占比，相对较低。
陈南翔团队，需要打两场高端局。
首先是产品结构方面，进一步向企业级SSD倾斜，补齐短板。
3月，长江存储一口气推出三款PCIe 5.0企业级SSD新品，PE501、PE511、PE522，统一采用晶栈4.0架构，专为AI服务器量身打造，最高容量达122.88TB。
有消息称，这三款产品已批量进入阿里云、腾讯云供应链。
其次，加码新的存储路线HBF（高带宽闪存）。
简单来说，HBF用HBM（高带宽内存）的思路改造NAND，把带宽拉高到接近HBM，且便宜、容量大，直击AI的“内存墙”。
2025年底，一篇名为《3D NAND闪存技术的演进趋势与挑战》的论文发表。
第一作者霍宗亮，是长江存储首席科学家，主导公司第1-5代3D闪存芯片的研发和量产；两位共同通讯作者，分别是长江存储创新研究院副总经理夏志良，以及陈南翔。
这篇论文判断，HBF会成为未来大模型存储主流载体，并指出长江存储的晶栈架构将加速HBF与高算力芯片3D高速互连架构的开发进程。
SK海力士、三星等存储巨头，均在积极布局HBF。这一仗，可能关系到长江存储能否弯道超车。
有消息称，阿里云与长江存储达成232层NAND年度采购意向，占其国内NAND采购量约15%。字节跳动也推进与长江存储的试点采购，首批订单预计今年三季度落地。
一场大规模的产能豪赌，已经铺开。
长江存储核心厂区
当前，长江存储在武汉运营两座晶圆厂，合计月产能约20万片。今年1-3月，公司产能利用率已达98%。
三期工厂设备安装已启动，预计2026年底投产，2027年实现月产能5万片。未来，陈南翔团队计划再建两座新厂，全部达产后，总产能将翻一番。
宏大的图景已展开，长江存储能拓展多大版图，取决于陈南翔团队手里的技术筹码能增加多少。
图片来源：长江存储，除标注外
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